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【国金电子】存储筑底完成，重点关注中间环节补库及AI带动HBM与DDR5需求

1，英伟达业绩超预期，并点明搭载HBM3e的第二代GH200将于24Q2出货。此前，8月21日，SK海力士宣布其开发出的HBM3e DRAM已经提供给英伟达(NVIDIA）和其他客户评估，并计划明年上半年量产，进一步巩固其在AI存储领域领导地位。

2，据CFM闪存市场分析，2023年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长5%至亿美元，DRAM市场规模环比增长%至亿美元。整体来看，二季度全球存储市场规模亿美元，环比增长9%，同比下跌54%。尤其在mobile收入增长及DDR5、HBM等出货扩大的推动下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分别实现%和%的环比增长，为收入增速最快的原厂，其市场占比也进一步得到提高。

近两周以来存储板块股价持续调整，目前已在底部徘徊。另外，行业变好趋势加快: 1)价格端:颗粒大厂已明确向下游传达涨价讯号，现货价已连续两周不跌;2)供给端:颗粒原厂持续减产（预计今年整体减产30-40%)以及下游中间环节模组及代理厂商开启抢跑补库有望加速原厂去库;3）需求端:手机、PC边际改善，终端库存基本出清，未来新品发布，容量升级均拉动需求改善;服务器方面，算力GPU紧俏拉动HBM需求，三大厂争先布局HBM，叠加通用服务器CPU升级推动DDR5渗透，预计下半年需求加速改善。

重点关注:

模组和代理商环节（博弈库存逻辑)︰香农芯创(海力士数据中心存储代理商，国内HBM核心标的)、朗科科技、深科技、德明利、江波龙;

存储芯片相关(博弈Q3基本面边际改善预期)︰兆易创新、澜起科技(受益DDR5需求)、东芯股份。